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半導體晶圓粗糙度翹曲度檢測設備

簡(jiǎn)要描述:WD4000半導體晶圓粗糙度翹曲度檢測設備采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測量雙向掃描技術(shù),完成非接觸式掃描并建立表面3D層析圖像,實(shí)現Wafer厚度、翹曲度、平面度、線(xiàn)粗糙度、總體厚度變化(TTV)及分析反映表面質(zhì)量的2D、3D參數。

  • 廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 更新時(shí)間:2024-08-12
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:316

詳細介紹

品牌中圖儀器產(chǎn)地國產(chǎn)
加工定制

中圖儀器WD4000半導體晶圓粗糙度翹曲度檢測設備采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測量雙向掃描技術(shù),完成非接觸式掃描并建立表面3D層析圖像,實(shí)現Wafer厚度、翹曲度、平面度、線(xiàn)粗糙度、總體厚度變化(TTV)及分析反映表面質(zhì)量的2D、3D參數。

半導體晶圓粗糙度翹曲度檢測設備


無(wú)圖晶圓厚度、翹曲度的測量

半導體晶圓粗糙度翹曲度檢測設備

通過(guò)非接觸測量,將晶圓上下面的三維形貌進(jìn)行重建,強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV),有效保護膜或圖案的晶片的完整性。


無(wú)圖晶圓粗糙度測量

半導體晶圓粗糙度翹曲度檢測設備

Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像,用表面粗糙度Sa數值大小及多次測量數值的穩定性來(lái)反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車(chē)間強噪聲環(huán)境中測量的減薄硅片,細磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次測量數據計算重復性為0.046987nm,測量穩定性良好。


WD4000半導體晶圓粗糙度翹曲度檢測設備通過(guò)非接觸測量,將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建,強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度,TTV,BOW、WARP、在高效測量測同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數據更準確。


測量功能

1、厚度測量模塊:厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等;

2、顯微形貌測量模塊:粗糙度、平整度、微觀(guān)幾何輪廓、面積、體積等。

3、提供調整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數據處理功能。其中調整位置包括圖像校平、鏡像等功能;糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能;濾波包括去除外形、標準濾波、過(guò)濾頻譜等功能;提取包括提取區域和提取剖面等功能。

4、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結構分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺階高、距離、角度、曲率等特征測量和直線(xiàn)度、圓度形位公差評定等;粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線(xiàn)粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數;結構分析包括孔洞體積和波谷。

半導體晶圓粗糙度翹曲度檢測設備

產(chǎn)品優(yōu)勢

1、非接觸厚度、三維維納形貌一體測量

集成厚度測量模組和三維形貌、粗糙度測量模組,使用一臺機器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三維形貌的測量。

2、高精度厚度測量技術(shù)

(1)采用高分辨率光譜共焦對射技術(shù)對Wafer進(jìn)行高效掃描。

(2)搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤(pán),晶圓規格最大可支持至12寸。

(3)采用Mapping跟隨技術(shù),可編程包含多點(diǎn)、線(xiàn)、面的自動(dòng)測量。

3、高精度三維形貌測量技術(shù)

(1)采用光學(xué)白光干涉技術(shù)、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法,Z向分辨率高可到0.1nm;

(2)隔振設計降低地面振動(dòng)和空氣聲波振動(dòng)噪聲,獲得高測量重復性。

(3)機器視覺(jué)技術(shù)檢測圖像Mark點(diǎn),虛擬夾具擺正樣品,可對多點(diǎn)形貌進(jìn)行自動(dòng)化連續測量。

4、大行程高速龍門(mén)結構平臺

(1)大行程龍門(mén)結構(400x400x75mm),移動(dòng)速度500mm/s。

(2)高精度花崗巖基座和橫梁,整體結構穩定、可靠。

(3)關(guān)鍵運動(dòng)機構采用高精度直線(xiàn)導軌導引、AC伺服直驅電機驅動(dòng),搭配分辨率0.1μm的光柵系統,保證設備的高精度、高效率。

5、操作簡(jiǎn)單、輕松無(wú)憂(yōu)

(1)集成XYZ三個(gè)方向位移調整功能的操縱手柄,可快速完成載物臺平移、Z向聚焦等測量前準工作。

(2)具備雙重防撞設計,避免誤操作導致的物鏡與待測物因碰撞而發(fā)生的損壞情況。

(3)具備電動(dòng)物鏡切換功能,讓觀(guān)察變得快速和簡(jiǎn)單。


WD4000自動(dòng)測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。可實(shí)現砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、鈮酸鋰、藍寶石、硅、碳化硅、玻璃不同材質(zhì)晶圓的量測。


部分技術(shù)規格

品牌CHOTEST中圖儀器
型號WD4000系列
測量參數厚度、TTV(總體厚度變化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等
可測材料砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、 鈮酸鋰、藍寶石、硅、碳化硅、氮化鎵、玻璃、外延材料等
厚度和翹曲度測量系統
可測材料砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等
測量范圍150μm~2000μm
掃描方式Fullmap面掃、米字、自由多點(diǎn)
測量參數厚度、TTV(總體厚度變 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、線(xiàn)粗糙度
三維顯微形貌測量系統
測量原理白光干涉
干涉物鏡10X(2.5X、5X、20X、50X,可選多個(gè))
可測樣品反射率0.05%~100
粗糙度RMS重復性0.005nm
測量參數顯微形貌 、線(xiàn)/面粗糙度、空間頻率等三大類(lèi)300余種參數
膜厚測量系統
測量范圍90um(n= 1.5)
景深1200um
最小可測厚度0.4um
紅外干涉測量系統
光源SLED
測量范圍37-1850um
晶圓尺寸4"、6"、8"、12"
晶圓載臺防靜電鏤空真空吸盤(pán)載臺
X/Y/Z工作臺行程400mm/400mm/75mm

請注意:因市場(chǎng)發(fā)展和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的需要,本產(chǎn)品資料中有關(guān)內容可能會(huì )根據實(shí)際情況隨時(shí)更新或修改,恕不另行通知,不便之處敬請諒解。


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