近年來(lái)，面對持續高漲的芯片需求，半導體行業(yè)生產(chǎn)迎來(lái)了高難度挑戰——對芯片工藝要求更精細，從5nm到3nm，甚至是2nm?！跋冗M(jìn)封裝"的提出，是對技術(shù)的新要求，也是對封裝工藝中材料和設備的全新考驗。

芯片身上布控著(zhù)幾千萬(wàn)根晶體管，而晶體管越小，可放置的晶體管越多，性能也將越高。芯片的進(jìn)化就是晶體管變小的過(guò)程。晶體管密度更大、占用空間更少、性能更高、功率更低，但挑戰也越來(lái)越難以克服。小尺寸下，芯片物理瓶頸越來(lái)越難以克服。尤其在近幾年，先進(jìn)節點(diǎn)走向10nm、7nm、5nm......白光3D輪廓測量?jì)x適配芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)，致力于滿(mǎn)足時(shí)下半導體封裝中晶圓減薄厚度、晶圓粗糙度、激光切割后槽深槽寬的測量需求，助力半導體行業(yè)發(fā)展。

W1白光3D輪廓測量?jì)xX/Y方向標準行程為140*100mm，滿(mǎn)足晶圓表面大范圍多區域的粗糙度自動(dòng)化檢測、鐳射槽深寬尺寸、鍍膜臺階高、彈坑等微納米級別精度的測量。

臺階高精確度：0.3%

臺階高重復性：0.08 % 1σ

縱向分辨率：0.1nm

RMS重復性：0.005nm

橫向分辨率（0.5λ/NA）：0.5um~3.7um

特點(diǎn)：粗糙度測量、彈坑測量、測量尺寸6英寸以下。

W3白光3D輪廓測量?jì)xX/Y方向標準行程為300*300mm，超大規格平面、兼容型12英寸真空吸附盤(pán)能檢測12寸及以下尺寸的Wafer；氣浮隔振設計&吸音材質(zhì)隔離設計，確保儀器在千級車(chē)間能有效濾除地面和聲波的振動(dòng)干擾，穩定工作；自動(dòng)化測量半導體晶圓。

半導體領(lǐng)域專(zhuān)項功能

1.同步支持6、8、12英寸三種規格的晶圓片測量，一鍵即可實(shí)現三種規格的真空吸盤(pán)的自動(dòng)切換以配適不同尺寸晶圓；

2.具備研磨供以后減薄片的粗糙度自動(dòng)測量功能，一鍵可測量數十個(gè)小區域的粗糙度求取均值；

3.具備劃片工藝中激光鐳射開(kāi)槽后的槽道深寬輪廓數據測量功能，可以一鍵實(shí)現槽道深寬相關(guān)的面和多條剖面線(xiàn)的數據測量與分析；

4.具備晶圓制造工藝中鍍膜臺階高度的測量，覆蓋從1nm~1mm的測量范圍，實(shí)現高精度測量。

W3白光3D輪廓測量?jì)x測量12英寸硅晶圓